型号 IRFBC30S
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30S PDF
代理商 IRFBC30S
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 660pF @ 25V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 管件
其它名称 *IRFBC30S
同类型PDF
IRFBC30SPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC40 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
IRFBC40A Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
IRFBC40AL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
IRFBC40APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
IRFBC40AS Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40ASPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40ASTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40ASTRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40ASTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40ASTRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
IRFBC40LC Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
IRFBC40LCL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
IRFBC40LCPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
IRFBC40LCS Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40LCSTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK